НПФ "Дилаз"
Производственная   фирма   "Д и л а з "   производит   и   реализует   лазерные   диоды
ι ГЛАВНАЯ ι О КОМПАНИИ ι ПРОДУКЦИЯ ι КОНТАКТЫ ι КАРТА САЙТА ι

InGaAs PIN ФОТОДИОДЫ ДФД300ТО, ДФД500ТО

ОСОБЕННОСТИ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
- Высокая чувствительность на 1.3 мкм и 1.55 мкм - Аналоговые или цифровые волоконно- оптические линии связи
- Спектральный диапазон 0.95-1.7 мкм - Приемные модули с предусилителем
- Низкий темновой ток - Датчики обратной связи
- Выбор активного размера от 300 mм, 500 mм - Спектроскопия
- Конструкция с вводом излучения через мезаструктуру  
- Корпус типа ТО-18  

Краткое описание

             PIN InGaAs/InP фотодиоды типа ДФД300,ДФД500 созданы для прямого преобразования оптических сигналов в электрические в ближнем инфракрасном диапазоне. Модели ДФД300, ДФД500 разработаны для использования в волоконно-оптических лазерных излучателях для создания обратной связи и имеют конструкцию с вводом излучения через мезаструктуру с относительно большими активными размерами 300 mм, 500 mм. Серии фотодетекторов ДФД300, ДФД500 также используются для оптических линий связи и различных ИК датчиков. Имеются два типа исполнения: кристалл на ситалловой подложке и корпус типа ТО-18 со стеклянным окном.


Технические характеристики (Vr=-5В, 25oC)

Модель Фото-чувствплощ.,
Спектральная чувствительн., А/Вт Темновой ток, нА Ёмкость,пФ Время откл.,нСтип Корпус. исполн.
1300нм 1300нм тип макс тип мин макс макс
тип тип
ДФДШМ40-012 40 0.3* 0.35* 10 50 ±2 0.01 12 -45 G

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ

Напряжение обратного смещения ........................................10 В
Обратный фототок ................................................................3 мA
Прямой ток ...........................................................................5 мA
Рабочая температура ..........................................................-60...+55oC
Температура хранения .........................................................-60...+70oC


Печать

Волоконно-отпический InGaAs PIN фотодиод ФД70-ОM, MM

ОСОБЕННОСТИ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
- Высокая чувствительность на 1300 нм и 1550 нм - Аналоговые или цифровые волоконно- оптические линии связи
- Малое обратное отражение (доп.опция) - Приемные модули с предусилителем
- Низкий темновой ток - Спектроскопия
- Фоточувствительная площадка 70 mм - Датчики
- Одно или многомодовое стекловолокно с оптическим разъемом  

Описание

             Модели ФД70-ОM,MM - высокоскоростные волоконно-оптические InGaAs/InP PIN фотоприемники для аналоговых до 1.5 ГГц или цифровых до 1.2 Гбит/с волоконно-оптических линий связи . Они имеют высокую чувствительность на длинах волн 1300 нм и 1550 нм , спектральный диапазон 0.98-1.65 мкм, низкий темновой ток и низкую емкость. В состав фотоприемника входит InGaAs PIN фотодиод с активным размером 70 mм, установленный в 3-х штырьковый корпус (типа ТО-18) для соединения с одно- или многомодовым волоконным световодом. Выпускаются фотоприемники с оптическим соединителем типа FC/PC (для одномодовой опции ) или типа FC/APC (опция ФД70-ОМ-01) с низким уровнем обратных оптических потерь -50 дБ (тип.).


Технические характеристики (Vr=-5В, 25oC)

Модель Фото-чувствплощ.,
Спектральная чувствительн., А/Вт Темновой ток, нА Ёмкость,пФ Время откл.,нСтип Корпус. исполн.
1300нм 1300нм тип макс тип мин макс макс
тип тип
ДФДШМ40-012 40 0.3* 0.35* 10 50 ±2 0.01 12 -45 G
             

Примечание: время нарастания и спада, скорость передачи информации рассчитываются исходя из значения верхней частоты модуляции, представленной в таблице.


ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ

Напряжение обратного смещения ..........................................20 В
Обратный фототок ................................................................3 мA
Прямой ток ...........................................................................5 мA
Рабочая температура ..........................................................-20...+55oC
Температура хранения .........................................................-20...+60oC


Печать

InGaAs PIN ФОТОДИОДЫ ДФД2000ТО

ОСОБЕННОСТИ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
- Высокая чувствительность на 1.3 мкм и 1.55 мкм - Тестовое оборудование для ВОЛС
- Спектральный диапазон 0.95-1.7 мкм - Термометрия
- Низкий темновой ток - Дальнометрия
- Активный диаметр приемной площадки 2000 mм - Спектроскопия
- Конструкция с вводом излучения через мезаструктуру  
- Корпус типа ТО-5  

Краткое описание

             PIN InGaAs/InP фотодиоды типа ДФД2000ТО созданы для прямого преобразования оптических сигналов в электрические в ближнем инфракрасном диапазоне. Модель ДФД2000ТО разработана для использования в качестве датчиков приема ИК оптического сигнала и имеют конструкцию с вводом излучения через мезаструктуру с большим активным размером 2000 mм. Имеются два типа исполнения: кристалл на ситалловой подложке и корпус типа ТО-5 со стеклянным окном.


Технические характеристики (Vr=-5В, 25oC)

Модель Фото-чувствплощ.,
Спектральная чувствительн., А/Вт Темновой ток, нА Ёмкость,пФ Время откл.,нСтип Корпус. исполн.
1300нм 1300нм тип макс тип мин макс макс
тип тип
ДФДШМ40-012 40 0.3* 0.35* 10 50 ±2 0.01 12 -45 G
             

Примечание: время нарастания и спада, скорость передачи информации рассчитываются исходя из значения верхней частоты модуляции, представленной в таблице.


ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ

Напряжение обратного смещения ........................................10 В
Обратный фототок ...............................................................3 мA
Прямой ток ...........................................................................5 мA
Рабочая температура ..........................................................-60...+55oC
Температура хранения .........................................................-60...+70oC


Печать


НПФ«Дилаз»
Россия, Москва
117342 г., Введенского ул., д.3
тел/факс (095) 333-05-13
e-mail: dilas@mail.magelan.ru
DILAS  Co., Ltd
Hosted by uCoz